中國電科二所“碳化硅單晶襯底材料制備產(chǎn)業(yè)化”項(xiàng)目支持落實(shí)

發(fā)布時(shí)間 | 2015-12-11 09:52 分類 | 行業(yè)要聞點(diǎn)擊量 | 6039

碳化硅

導(dǎo)讀：根據(jù)國家發(fā)改委通知，中國電科二所“SiC單晶襯底材料制備產(chǎn)業(yè)化”項(xiàng)目獲得國家發(fā)改委2015年第三批專項(xiàng)建設(shè)基金支持。該項(xiàng)目將在現(xiàn)有碳化硅工藝技術(shù)基礎(chǔ)上進(jìn)行高純SiC粉料合成、6英寸SiC單晶生長、...

根據(jù)國家發(fā)改委通知，中國電科二所“SiC單晶襯底材料制備產(chǎn)業(yè)化”項(xiàng)目獲得國家發(fā)改委2015年第三批專項(xiàng)建設(shè)基金支持。該項(xiàng)目將在現(xiàn)有碳化硅工藝技術(shù)基礎(chǔ)上進(jìn)行高純SiC粉料合成、6英寸SiC單晶生長、4英寸高純半絕緣SiC單晶生長工藝及其相關(guān)設(shè)備產(chǎn)業(yè)化建設(shè)，最終實(shí)現(xiàn)規(guī)?；可a(chǎn)能力。

今年早些時(shí)候，山西省科技廳組織有關(guān)專家對中電二所完成的“4英寸碳化硅單晶材料工程化制備”項(xiàng)目進(jìn)行了成果鑒定。專家組普遍認(rèn)為，該項(xiàng)目在同類研究中總體達(dá)到了國內(nèi)領(lǐng)先水平，其中單晶材料生長設(shè)備達(dá)到了國際先進(jìn)水平。該項(xiàng)目順利通過成果鑒定標(biāo)志著中電二所碳化硅設(shè)備及材料已經(jīng)達(dá)到了國際及國內(nèi)相應(yīng)水平，該所的碳化硅設(shè)備及材料獲得專家一致好評。

(粉體圈作者：郜白）