近日，東洋炭素（toyo tanso）宣布提高高純度石墨產(chǎn)品和碳化硅涂層石墨產(chǎn)品的生產(chǎn)能力，以滿足對(duì)硅半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體的強(qiáng)勁需求SiC（碳化硅）半導(dǎo)體等應(yīng)用。

由于物聯(lián)網(wǎng)、人工智能和電動(dòng)汽車的發(fā)展推動(dòng)了強(qiáng)勁的半導(dǎo)體需求。包括SiC半導(dǎo)體在內(nèi)的Si半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體的晶片制造工藝涉及1000℃以上的超高溫，半導(dǎo)體工藝的小型化進(jìn)程就要求高純度石墨結(jié)構(gòu)件，因而相關(guān)石墨產(chǎn)品的需求也正在上升。此外，高純度石墨產(chǎn)品還用于離子注入等半導(dǎo)體制造工藝，以及太陽能電池和光纖制造等各種應(yīng)用。

高純石墨單晶片基片

其中，特別是對(duì)SiC半導(dǎo)體的需求隨著電動(dòng)汽車和節(jié)能相關(guān)市場的增長而上升。SiC涂層石墨產(chǎn)品是一種各向同性石墨涂層，SiC薄膜可抑制從石墨基板產(chǎn)生的顆粒和氣體，它可用作硅半導(dǎo)體和SiC半導(dǎo)體的外延工藝中的組件，處理高電壓和大功率的功率半導(dǎo)體。

東洋炭素決定合計(jì)投資約70億日元，用于提高高純度石墨產(chǎn)品和SiC涂層石墨產(chǎn)品的產(chǎn)能以滿足市場需求，使2025年和2024年的高純石墨產(chǎn)品和碳化硅涂層石墨產(chǎn)品的產(chǎn)能分別比2022年增加約1.5倍。這些投資不僅是為了應(yīng)對(duì)產(chǎn)量的增加，更是為了通過自動(dòng)化等手段進(jìn)一步追求品質(zhì)，減少人力，提高生產(chǎn)效率。

編譯 YUXI

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