碳化硅陶瓷基板不僅具有優(yōu)良的常溫力學(xué)性能，如高的抗彎強(qiáng)度、優(yōu)良的抗氧化性、良好的耐腐蝕性、高的抗磨損以及低的摩擦系數(shù)，而且高溫力學(xué)性能(強(qiáng)度、抗蠕變性等)是已知陶瓷材料中佳的。熱壓燒結(jié)、無壓燒結(jié)、熱等靜壓燒結(jié)的材料，其高溫強(qiáng)度可一直維持到1600℃，是陶瓷材料中高溫強(qiáng)度好的材料。抗氧化性也是所有非氧化物陶瓷中好的。SiC陶瓷的缺點(diǎn)是斷裂韌性較低，即脆性較大，為此近幾年以SiC陶瓷為基的復(fù)相陶瓷，如纖維(或晶須)補(bǔ)強(qiáng)、異相顆粒彌散強(qiáng)化、以及梯度功能材料相繼出現(xiàn)，改善了單體材料的韌性和強(qiáng)度。  

導(dǎo)電層：銅
金屬層厚度：70μm/70μm
表面處理：沉金
陶瓷電路板供應(yīng)商：斯利通
金屬單面/雙面：單面
鍍銅通孔：否
阻焊層：綠色
應(yīng)用領(lǐng)域：物聯(lián)網(wǎng)智能設(shè)備