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隨著人工智能、高頻通訊等領(lǐng)域的發(fā)展,第一代半導(dǎo)體鍺(Ge)、硅(Si)等已經(jīng)發(fā)展得十分成熟,甚至已逐漸接近物理極限,于是人們紛紛在半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)ふ倚碌臋C(jī)遇,氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體材料,在一眾候選者中脫穎而出。氮...
在人工智能時(shí)代,電子器件正逐漸朝著小型化和高度集成化方向發(fā)展,設(shè)備運(yùn)行速度的加快以及元器件的高度集成,使得散熱成為當(dāng)下阻礙電子技術(shù)發(fā)展的一大問題。傳統(tǒng)的金屬、陶瓷以及高分子材料等單一組分封裝材料如今較...
隨著信息技術(shù)的快速發(fā)展,人工智能、5G通信、激光雷達(dá)等領(lǐng)域提出了對(duì)高功率數(shù)據(jù)傳輸系統(tǒng)的需求。光子芯片作為具有高傳輸帶寬、低延遲、低功耗、抗干擾等特點(diǎn)的新一代傳輸系統(tǒng),在高功率、大容量的信息傳輸和信息處理...
隨著人工智能技術(shù)的飛速發(fā)展,芯片性能提升成為推動(dòng)行業(yè)進(jìn)步的核心動(dòng)力。在這些芯片背后,硅鍺(SiGe)作為一種半導(dǎo)體材料,正在悄然發(fā)揮著越來越重要的作用。硅和鍺同屬IV族元素,鍺位于硅的正下方,比硅多一個(gè)電子...
隨著數(shù)據(jù)中心對(duì)于數(shù)據(jù)傳輸帶寬與傳輸速率需求的持續(xù)提升,傳統(tǒng)的銅纜電氣連接已經(jīng)無法滿足高帶寬、低延遲的需求。因此,光通信技術(shù)因其具備的高帶寬、遠(yuǎn)距離傳輸能力、低功耗以及抗干擾性等優(yōu)點(diǎn),逐漸成為數(shù)據(jù)中心內(nèi)...
人工智能時(shí)代的應(yīng)用場景非常的復(fù)雜,對(duì)吸波材料的需求也將更加的個(gè)性化。碳化硅作為一種具有較低密度、高熱導(dǎo)率、抗氧化性、抗腐蝕性的吸波材料,因其電導(dǎo)率和介電損耗較低,使得阻抗匹配性能難以滿足現(xiàn)實(shí)需求,而阻...
在面向生成式AI的硬件中,需要通過電源線輸送足夠的電流到處理器,才能保障章程執(zhí)行計(jì)算處理,但在實(shí)際工作中,電源供給速度通常難以跟上處理器需要的大電流,這給系統(tǒng)的穩(wěn)定性和性能帶來了挑戰(zhàn)。因此,在處理器的電...
碳化硅(SiC)作為當(dāng)前研發(fā)較為集中的第三代半導(dǎo)體材料,在電磁波吸收領(lǐng)域同樣具有巨大的發(fā)展前景,它具有電阻率可調(diào)、抗熱震性、密度小、熱膨脹系數(shù)低、抗沖擊性好等優(yōu)點(diǎn),在800℃以上的耐高溫性能更是顯著優(yōu)于鐵磁...
隨著互聯(lián)網(wǎng)、人工智能、云存儲(chǔ)、云計(jì)算的快速發(fā)展,人們步入高度信息化時(shí)代,數(shù)據(jù)產(chǎn)生量呈指數(shù)級(jí)增長,據(jù)國際數(shù)據(jù)公司(IDC)測(cè)算,到2025年,全球?qū)a(chǎn)生175ZB(1ZB=1012GB)的數(shù)據(jù)總量,其中約10%-15%的數(shù)據(jù)最終會(huì)...
以碳化硅(SiC)為代表的第三代半導(dǎo)體材料具有遠(yuǎn)大于Si和GaAs等第一、二代半導(dǎo)體材料的帶隙寬度,且還具備擊穿電場高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速率高、抗輻射等優(yōu)異特性,更加適應(yīng)于電力電子、微波射頻和光電子等高壓...
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