3月20日，牛津儀器（Oxford Instruments plc）公布了將在2023年實現等離子拋光資格認證和量產計劃，這意味著向目前碳化硅晶圓的化學機械拋光（CMP）體系發出正式挑戰，向工藝替代邁出了關鍵一步。

時間回到去年8月，牛津儀器旗下等離子技術公司（Plasma Technology）推出一種新型SiC外延襯底干法蝕刻（PPDE）工藝，它不僅更清潔、環保、低成本，并且更穩定，可替代目前通用的化學機械拋光（CMP）工藝。Plasma Technology的戰略業務發展總監評論說，“選擇等離子表面處理來生產SiC外延襯底是一個非常有吸引力的提議，作為一種與當前方法相比的技術，它以更低的成本提供更好的結果，并實現了SiC器件的環境可持續生產?！?/span>

等離子干法蝕刻（PPDE）工藝示意圖

在向行業扔出爆炸性通告后，牛津儀器開始向幾家領先制造商推薦并推動該工藝的鑒定工作，目前已經證實牛津儀器的等離子拋光技術可以有效地應用于改善碳化硅 (SiC) 襯底表面并減少多個生產過程的次表面損傷，正在與商業合作伙伴在 SiC 器件制造供應鏈的多個節點進行測試，例如作為 boule 生長、外延前和外延后以及外延層之間，以滿足更高電壓的器件要求。

牛津儀器表示，SiC供應鏈的主要客戶對等離子拋光的市場興趣濃厚，公司正處于與多家公司進行資格認證的后期階段，并正在加快等離子拋光模塊的生產。牛津儀器等離子技術全球銷售和營銷總監Bas Derksema評論，“我們新的Severn Beach生產和研究設施將在未來12個月內上線，將我們的生產能力提高50%以上，應用實驗室空間增加一倍，這將使我們能夠繼續開發市場領先的創新解決方案，并提高產能提高我們的生產能力以應對不斷增長的市場需求?！?/span>

編譯整理 YUXI

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