在當(dāng)今科技高速發(fā)展的時代，新材料的研發(fā)與應(yīng)用無疑成為推動科技進步的重要引擎。以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體具有禁帶寬度大、飽和電子漂移速率高、擊穿電場高、熱導(dǎo)率高等特點，特別適合于制造高頻、大功率、抗輻射、抗腐蝕的電子器件，成為了推動半導(dǎo)體行業(yè)革新的關(guān)鍵力量。

然而，碳化硅的高化學(xué)穩(wěn)定性和高達(dá)9.2的莫氏硬度，使得傳統(tǒng)的加工技術(shù)和設(shè)備在面對其時往往顯得力不從心，加工效率極低，同時其高脆性、低斷裂韌性的特點，又使其易在磨削加工過程中引起材料的脆性斷裂從而在材料表面留下表面破碎層，且產(chǎn)生較為嚴(yán)重的表面與亞表層損傷，這種損傷層不僅影響加工精度，而且還可能在后續(xù)熱處理中擴散，影響電性能。

目前碳化硅單晶襯底的加工往往通過切片、研磨和拋光三個環(huán)節(jié)實現(xiàn)。切片作為SiC襯底加工的第一道工序，對后續(xù)晶圓制造至關(guān)重要，通常要求將碳化硅單晶切割成翹曲度小、良率高、厚度均勻且不超過1mm的晶片。由于切割過程會造成晶片表面的刀痕和損傷層，后續(xù)還需要進行研磨和拋光處理，研磨的主要目的是去除切割造成的表面缺陷和控制晶片厚度，而拋光提高晶片表面光潔度和平整度，主要采用化學(xué)機械拋光(CMP)方式，利用化學(xué)腐蝕和機械磨損協(xié)同作用，實現(xiàn)晶片表面的全局平坦化。

在上述加工環(huán)節(jié)中，襯底加工耗材直接與襯底表面質(zhì)量、?均勻性和一致性息息相關(guān)，直接影響到材料的表面質(zhì)量和后續(xù)使用性能。因此，提供高效、平坦的加工耗材是碳化硅襯底加工必不可少的條件。作為泛半導(dǎo)體行業(yè)平坦化材料解決方案的資深提供商， 浙江博來納潤電子材料有限公司擁有十余年的專業(yè)經(jīng)驗，在碳化硅襯底的切、磨、拋耗材上形成了一套整體解決方案體系。

博來納潤的碳化硅襯底“切、磨、拋”耗材整體解決方案

8月25-26日，于無錫舉辦的“2024年全國精密研磨拋光材料及加工技術(shù)發(fā)展論壇”上，浙江博來納潤電子材料有限公司的張澤芳博士將現(xiàn)場分享報告《碳化硅襯底加工切、磨、拋耗材整體解決方案》，如您想詳細(xì)了解當(dāng)前碳化硅襯底加工耗材的最新研究和應(yīng)用進展，請了解會議詳情并報名哦！

報告人介紹

張澤芳，浙江博來納潤電子材料有限公司董事長，中科院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所博士，復(fù)旦大學(xué)博士后。先后榮獲“上海市東方英才青年項目”、“上海產(chǎn)業(yè)菁英高層次人才：產(chǎn)業(yè)青年英才”、“山西省青年拔尖人才”等榮譽。擁有18余年的CMP材料的研發(fā)、產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗，主導(dǎo)研發(fā)的藍(lán)寶石、硅片、碳化硅CMP磨料、拋光液和拋光墊，性能與國外同期進口產(chǎn)品持平，推動了CMP材料的國產(chǎn)化，填補了多項空白。近年來在國際及國內(nèi)刊物上發(fā)表 CMP 相關(guān)論文 20 余篇，授權(quán)發(fā)明專利10余項。

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