10月9日，中國電子材料行業協會官網發函，《晶體生長用高純碳化硅粉體》團體標準已通過專家立項評審，予以公示，并公開征集標準制修訂工作參與單位。歡迎有相關意見或意向的組織和個人積極參與標準制定。

碳化硅(SiC)以其寬帶隙、高臨界擊穿場強、高熱導率、高載流子飽和遷移率等優點，被認為是目前較具發展前景的半導體材料之一。近年來，物理氣相傳輸(PVT)法在制備大尺寸、高質量SiC單晶襯底方面取得了重大突破，進一步推動了SiC在高壓、高頻、高溫電子器件領域的應用。

各類SiC晶體原材料

SiC 粉體是PVT法生長SiC單晶的原料，其純度會直接影響SiC單晶的雜質含量，從而影響SiC單晶的電學性質，其中生長高質量的半絕緣 SiC單晶更是直接受限于SiC粉體中N元素的含量。碳化硅長晶過程中用到的原料碳化硅粉體的各項指標，直接影響碳化硅晶體的質量。各廠家長晶工藝不同，除了對碳化硅粉體純度有要求之外，粒徑和晶型對晶體生長的影響很大，需要高純SiC粉體形狀、粒度、粒徑分布等參數的有效控制。由于各家工藝路線的差異，不同企業對物理化學指標的要求存在不確定性，上述等等原因造成的原料質量不穩定，非常不利于下游晶體行業的快速發展。

團體標準立項評審會

對此，2024年9月27日中國電子材料行業協會粉體技術分會在平頂山市河南中宜創芯發展有限公司組織召開了《晶體用高純碳化硅粉體》團體標準立項評審會。計劃通過團體標準的規范，給晶體用碳化硅粉體企業指明方向，解決下游晶體廠家所需高純碳化硅粉體產晶質量的穩定性問題，更好地配合行業客戶的需求，促進產業的健康發展，進而提升高純碳化硅粉體行業整體技術及質量標準水平。

關于中宜創芯

河南中宜創芯發展有限公司成立于2023年5月24日，是由中國平煤神馬控股集團和平頂山發展投資集團合資設立的公司，計劃投資20億元，分期建設年產2000噸碳化硅半導體粉體項目。項目一期500噸生線于2023年6月20日開工建設，并于9月30日產品成功下線，創同類行業建設和投產的最快速度。2024年3月30日，一期生產線達產產品純度最高達到99.999998%，已在國內三十多家企業和科研機構開展試用和驗證。

如果對立項標準有任何疑問或者不同的看法，歡迎在公示期間內，用書面形式進行反饋。同時，如有興趣參與到標準的制定和修訂過程中，也請直接向協會的標準化工作部提出申請。期待相關單位和專家的寶貴意見和積極參與。

相關鏈接：《晶體生長用高純碳化硅粉體》團體標準網上公示并公開征集參與單位的公告

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