2025年8月1日，中國(guó)電子材料行業(yè)協(xié)會(huì)官網(wǎng)發(fā)函，批準(zhǔn)發(fā)布團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)《晶體生長(zhǎng)用高純碳化硅粉體》，并予以公示，團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)編號(hào)為“T/CEMIA 049-2025”，實(shí)施日期是2025年11月1日。

該團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)適用于純度不低于99.9999wt%（6N）的晶體生長(zhǎng)用高純碳化硅粉體，規(guī)定了晶體生長(zhǎng)用高純碳化硅粉體的技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則和包裝、標(biāo)志、運(yùn)輸及貯存。

碳化硅（SiC）憑借其優(yōu)異的性能，是極具前景的半導(dǎo)體材料。物理氣相傳輸（PVT）法作為生長(zhǎng)高質(zhì)量SiC單晶的主流技術(shù)，其原料——高純碳化硅粉體的質(zhì)量至關(guān)重要。粉體的純度（尤其是N元素含量）、粒度分布及晶型等參數(shù)直接影響晶體質(zhì)量。然而，由于缺乏統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)，各企業(yè)對(duì)粉體指標(biāo)要求不一，導(dǎo)致原料質(zhì)量不穩(wěn)定，阻礙了下游產(chǎn)業(yè)發(fā)展。因此，由中國(guó)電子材料行業(yè)協(xié)會(huì)粉體技術(shù)分會(huì)提出制定《晶體生長(zhǎng)用高純碳化硅粉體》團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)，規(guī)范碳化硅粉體質(zhì)量，滿足行業(yè)需求，以此推動(dòng)整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的技術(shù)提升和健康發(fā)展。

該團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)的發(fā)布填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)晶體生長(zhǎng)用高純碳化硅粉體標(biāo)準(zhǔn)的空白，通過統(tǒng)一關(guān)鍵指標(biāo)（如純度、雜質(zhì)限值、粒度等），將顯著提升國(guó)產(chǎn)粉體質(zhì)量和一致性，降低下游晶體生長(zhǎng)環(huán)節(jié)的技術(shù)風(fēng)險(xiǎn)與驗(yàn)證成本，加速國(guó)產(chǎn)高純碳化硅粉體的應(yīng)用和替代進(jìn)程，有力支撐我國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控與高質(zhì)量發(fā)展。

本團(tuán)標(biāo)牽頭單位：河南中宜創(chuàng)芯發(fā)展有限公司

起草單位：紹興晶彩科技有限公司、中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所、華為技術(shù)有限公司、廣州志橙半導(dǎo)體有限公司、西安博爾新材料有限責(zé)任公司、山東圣諾實(shí)業(yè)有限公司、汕頭天意半導(dǎo)體技術(shù)有限公司、連科半導(dǎo)體有限公司、平頂山易成新材料有限公司、江蘇三責(zé)新材料科技股份有限公司、東方電氣先進(jìn)材料科技（四川）有限公司、浙江之升科技有限公司、精工博研測(cè)試技術(shù)（河南）有限公司、內(nèi)蒙古賽盛新材料有限公司。

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關(guān)于批準(zhǔn)發(fā)布《晶體生長(zhǎng)用高純碳化硅粉體》團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)的公告

http://www.cemia.org.cn/index.php?m=content&c=index&a=show&catid=59&id=3363

粉體技術(shù)分會(huì)秘書處