1月21日，中國電子行業協會及協會下屬粉體技術分會發函通知，團體標準《晶體生長用高純碳化硅粉體》已完成征求意見稿的編制，現公開征求意見。懇請業內專家貢獻寶貴的修改建議，補充和完善團體標準，并于2025年2月20日前以郵件的形式反饋至聯系人。

碳化硅（SiC）作為第三代寬禁帶半導體材料，尤其勝任高溫、高壓、高頻以及高功率的工況，在新能源汽車、電力電子、5G通信等領域的應用越來越廣泛。隨著市場需求的增加，相應的行業標準也必須跟進以確保行業穩健發展。晶體生長用高純碳化硅粉體相比先進陶瓷、磨料、涂層等其他應用有更嚴格的標準，包括純度、粒徑分布、晶型、形貌等理化指標都會影響碳化硅晶體的質量。有鑒于此，為保障粉體原料的質量和一致性滿足下游需求，促進產業健康發展，亟待制定晶體生長用高純碳化硅粉體的行業標準。

2024年7月，中國電子材料行業協會粉體技術分會采納并支持河南中宜創芯發展有限公司關于建立“晶體生長用高純碳化硅粉體”團體標準的建議，決定由河南中宜創芯發展有限公司（以下簡稱中宜創芯）牽頭承擔團體標準《晶體生長用高純碳化硅粉體》團體標準的制定，項目計劃編號：CEMIA2024-2-01。本標準參與起草修訂單位有紹興晶彩科技有限公司、中國電子科技集團公司第四十六研究所、華為技術有限公司、廣州志橙半導體有限公司、西安博爾新材料有限責任公司、山東圣諾實業有限公司、汕頭天意半導體技術有限公司、連科半導體有限公司、平頂山易成新材料有限公司、江蘇三責新材料科技股份有限公司、東方電氣潔能科技成都有限公司、浙江之升科技有限公司、精工博研測試技術（河南）有限公司。

標準工作組嚴格遵照 GB/T 1.1-2020《標準化工作導則 第 1 部分：標準化文件的結構和起草規則》的有關規定，經過調研、標準啟動會、起草標準草案、進行驗證試驗、標準討論稿和標準工作組內部會議等有序必要步驟，總結市場供需情況，結合業內各相關企業收集獲得的技術資料，主要對碳化硅含量、雜質含量、堆積密度、粒度分布等指標進行了試驗。收集行業內晶體生長用碳化硅粉體的主要供應商在下游客戶端的應用產品。詳細列出了包括SiC純度、振實密度、粒度、氮含量（半絕緣型）、受控元素含量等指標的量化數值，認為參考值在行業內產品中處于平均水平，適合于行業內進行推廣，并且符合產品在下游產業產線內的應用需求。

目前國內無相關產品的行業標準或國家標準，團體標準屬國內首次制定，為使標準可以作為產品制造、交貨驗收的依據，滿足行業使用單位的生產要求，最終順利實施，請各有關單位和專家認真閱讀標準文本，按照《意見反饋表》的要求匯總反饋意見；如對技術指標有重大意見，請書面說明論據或提出技術經濟論證；如認為標準涉及專利，在提交反饋意見時，請將相關專利連同支持性文件一并附上。最后，希望業界同仁群策群力，使團標順利通過并能夠促進技術進步，推進碳化硅產業鏈的不斷完善和發展，提高國內企業在國際市場中的競爭力。

公開征求意見時間：2025年1月21日-2月20日

聯系人：李燕

電話：13377562702

郵箱：chinaptia@163.com

附件：

1.CEMIA2024-2-01《晶體生長用高純碳化硅粉體》征求意見稿

2.編制說明

3.團體標準征求意見反饋表