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粉體材料科普——碳化硅粉體

發(fā)布時(shí)間 | 2025-02-11 10:44 分類 | 粉體入門 點(diǎn)擊量 | 1990
磨料 石英 干燥 金剛石 碳化硅 氮化硼 氧化硅 納米材料
導(dǎo)讀:碳化硅粉體,從名字就能看出它的“出身”——由碳(C)和硅(Si)這兩種元素組成,是一種典型的無(wú)機(jī)非金屬材料,化學(xué)式為SiC。

在現(xiàn)代材料科學(xué)的宏大版圖中,碳化硅粉體(SiliconCarbidePowder)宛如一顆璀璨奪目的明星,占據(jù)著舉足輕重的地位。它雖然“身材”微小,卻蘊(yùn)含著巨大的能量,在眾多領(lǐng)域施展著獨(dú)特的“魔法”,從高端的航空航天,到與我們生活息息相關(guān)的電子設(shè)備,再到引領(lǐng)未來(lái)的新能源領(lǐng)域,都有它活躍的身影。下面,就讓我們一同深入探索碳化硅粉體的奇妙世界。


一、認(rèn)識(shí)碳化硅粉體

(一)定義與本質(zhì)

碳化硅粉體,從名字就能看出它的“出身”——由碳(C)和硅(Si)這兩種元素組成,是一種典型的無(wú)機(jī)非金屬材料,化學(xué)式為SiC。它可不是簡(jiǎn)單的碳和硅的混合,而是碳、硅原子以共價(jià)鍵形式連接,形成了穩(wěn)定而獨(dú)特的結(jié)構(gòu)。這種結(jié)構(gòu)賦予了碳化硅粉體一系列優(yōu)異的性能,使其在材料家族中脫穎而出。在自然界中,碳化硅以罕見的礦物碳硅石又稱莫桑石,最初在亞利桑那的隕石坑,被法國(guó)化學(xué)家亨利·莫桑(Henri Moissan)發(fā)現(xiàn),由此得名)形式存在,而我們?nèi)粘9I(yè)應(yīng)用中使用的碳化硅粉體,絕大多數(shù)是通過(guò)人工合成的方式制備而來(lái)。

(二)獨(dú)特的物理性質(zhì)

硬度:碳化硅粉體的硬度極高,莫氏硬度達(dá)到9.2-9.5,在自然界的物質(zhì)硬度排名中,僅次于金剛石、立方氮化硼和碳化硼,這使它成為一種出色的研磨和切削材料。在砂輪制造中,添加碳化硅粉體后,砂輪的磨削性能大幅提升,能夠輕松打磨各種堅(jiān)硬的金屬和非金屬材料。

密度:其密度約為3.21g/cm3,相對(duì)適中。與一些重金屬材料相比,它的質(zhì)量更輕,這在對(duì)重量有嚴(yán)格要求的航空航天等領(lǐng)域,具有重要的應(yīng)用價(jià)值。比如在制造航空發(fā)動(dòng)機(jī)的某些部件時(shí),使用碳化硅基復(fù)合材料,既能保證部件的強(qiáng)度和性能,又能減輕發(fā)動(dòng)機(jī)的整體重量,提高燃油效率。

熱導(dǎo)率碳化硅材料具有優(yōu)異的熱導(dǎo)特性,其中多晶碳化硅的熱導(dǎo)率可達(dá)120-270 W/(m·K),而單晶4H-SiC更是高達(dá)490 W/(m·K)。碳化硅的高熱導(dǎo)率使其在熱管理要求較高的領(lǐng)域游刃有余。以功率半導(dǎo)體器件為例,芯片工作時(shí)會(huì)產(chǎn)生大量熱量,若不能有效傳導(dǎo)將導(dǎo)致熱失效。采用碳化硅作為襯底材料,可顯著提升熱管理效率,確保器件在200℃以上高溫環(huán)境穩(wěn)定運(yùn)行。在新能源汽車的電控系統(tǒng)中,碳化硅功率模塊正是憑借這一優(yōu)勢(shì)實(shí)現(xiàn)更高功率密度。

晶體結(jié)構(gòu):碳化硅晶體結(jié)構(gòu)主要分為六方或菱面體的α-SiC和立方體的β-SiC(立方碳化硅)。不同的晶體結(jié)構(gòu)賦予了碳化硅不同的電學(xué)和光學(xué)性能,為其在半導(dǎo)體、光學(xué)器件等領(lǐng)域的應(yīng)用提供了多樣化的選擇。

(三)穩(wěn)定的化學(xué)性質(zhì)

在常見的化學(xué)環(huán)境中,碳化硅粉體表現(xiàn)出良好的穩(wěn)定性。它不溶于水,也不易與常見的酸發(fā)生反應(yīng),這使得它在一些腐蝕性較強(qiáng)的環(huán)境中依然能夠保持性能穩(wěn)定。不過(guò),在高溫下,它會(huì)與熔融的堿以及堿金屬硫酸鹽發(fā)生反應(yīng)。在1000℃以上的高溫中,碳化硅會(huì)與熔融的氫氧化鈉發(fā)生化學(xué)反應(yīng),生成硅酸鈉和碳。這種化學(xué)性質(zhì)決定了它在不同工業(yè)應(yīng)用中的適應(yīng)性和局限性。在化工設(shè)備的內(nèi)襯材料選擇中,如果介質(zhì)是酸性的,碳化硅是一個(gè)很好的選擇;但如果是堿性介質(zhì),就需要謹(jǐn)慎考慮其適用性。

二、碳化硅粉體的制備方法

碳化硅粉體的制備方法多種多樣,每種方法都有其獨(dú)特的原理、工藝和適用場(chǎng)景,就像不同的工匠有著各自獨(dú)特的技藝和工具。目前,主要的制備方法可以分為固相法、液相法和氣相法三大類。

(一)固相法

碳熱還原法:這是一種較為經(jīng)典且常用的方法,其原理是在高溫條件下,利用碳將二氧化硅(SiO?)還原為碳化硅。通常以石英砂(提供硅源)和石油焦(提供碳源)為原料,混合后在Acheson電阻爐中加熱到約2500℃。在這個(gè)高溫熔爐中,發(fā)生著激烈的化學(xué)反應(yīng):SiO?+3C→SiC+2CO↑。這種方法制備的碳化硅含量一般能達(dá)到96%左右,原料來(lái)源廣泛,價(jià)格相對(duì)較低,易于實(shí)現(xiàn)工業(yè)化大規(guī)模生產(chǎn)。不過(guò),由于反應(yīng)溫度極高,對(duì)設(shè)備的耐高溫性能要求苛刻,能耗也非常大。而且,制備過(guò)程中容易引入雜質(zhì),導(dǎo)致碳化硅粉體的純度受限,在一些對(duì)純度要求極高的高端應(yīng)用領(lǐng)域,如半導(dǎo)體器件制造,就難以滿足需求。

自蔓延高溫合成法(SHS):這種方法充滿了“自我驅(qū)動(dòng)”的魅力。它以外加熱源點(diǎn)燃反應(yīng)物坯體,一旦反應(yīng)開始,自身燃燒反應(yīng)放出的熱量就足以維持后續(xù)反應(yīng)的進(jìn)行,從而合成碳化硅。一般以硅粉和碳黑為原料,添加適量的活化劑,在1000-1150℃的溫度下,反應(yīng)便能以顯著的速度進(jìn)行。自蔓延高溫合成法工序少、流程短,成本相對(duì)較低。但由于Si和C的化學(xué)反應(yīng)放出的熱量有限,往往需要加入其他添加劑來(lái)維持反應(yīng),這就不可避免地引入了雜質(zhì)元素,而且反應(yīng)過(guò)程也較難控制,容易造成反應(yīng)不均勻,影響碳化硅粉體的質(zhì)量。

 

自蔓延高溫合成法(SHS

(二)液相法

溶膠-凝膠法:溶膠-凝膠法是液相法中具有代表性的一種,它像是一場(chǎng)微觀世界里的“魔法表演”。首先,將無(wú)機(jī)鹽或醇鹽溶于溶劑(水或醇)中,形成均勻的溶液。這些分子在溶液中均勻分散,就像一群有序排列的舞者。接著,通過(guò)水解、聚合反應(yīng),溶液逐漸轉(zhuǎn)變?yōu)槿苣z,溶膠中的分子進(jìn)一步連接形成三維網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu),再經(jīng)過(guò)干燥、熱處理等步驟,最終得到所需的碳化硅粉體。宋永才等科研人員以工業(yè)硅溶膠和水溶性酚醛樹脂為原料,經(jīng)過(guò)一系列復(fù)雜而精細(xì)的工藝,在高溫下進(jìn)行碳熱還原反應(yīng),成功收獲了碳化硅粉體。這種方法可以制備出純度較高、粒度細(xì)小的納米級(jí)SiC微粉,在對(duì)粉體純度和粒度要求嚴(yán)格的科研領(lǐng)域,如納米材料研究、高端電子器件研發(fā)等,有著重要的應(yīng)用。不過(guò),它的制備成本較高,合成過(guò)程復(fù)雜,還可能產(chǎn)生對(duì)人體有害的物質(zhì),目前在工業(yè)大規(guī)模生產(chǎn)中受到一定限制。

溶膠凝膠法

(三)氣相法

化學(xué)氣相沉積法(CVD):化學(xué)氣相沉積法是在一個(gè)密閉的環(huán)境中,將攜帶硅源和碳源的氣體注入其中,在高溫和催化劑的作用下,這些氣體發(fā)生化學(xué)反應(yīng),硅和碳原子逐漸沉積并結(jié)合,形成碳化硅粉體。Si源一般包括硅烷(SiH?)和四氯化硅(SiCl?)等,C源一般選用四氯化碳(CCl?)、甲烷(CH?)、乙烯(C?H?)、乙炔(C?H?)和丙烷(C?H?)等,而二甲基二氯硅烷((CH?)?SiCl?)和四甲基硅烷(Si(CH?)?)等則可以同時(shí)提供Si源和C源。Huang等科研人員以(CH?)?SiCl?作為原料,在1100-1400℃的高溫環(huán)境中,精心“培育”出了純度高、含氧量低的納米碳化硅粉體。這種方法能夠制備出高質(zhì)量、超細(xì)的碳化硅粉體,在制備高純碳化硅粉體方面具有顯著優(yōu)勢(shì),常用于對(duì)粉體質(zhì)量要求極高的半導(dǎo)體、光學(xué)器件等領(lǐng)域。然而,它對(duì)設(shè)備和工藝要求極高,成本高昂,合成速率較低,產(chǎn)量難以滿足大規(guī)模生產(chǎn)的需求。

化學(xué)氣相沉積法制備粉體

等離子體法:等離子體法是借助電場(chǎng)的力量,使反應(yīng)氣體電離形成等離子體。在等離子體中,氣體分子被激活,高速電子與氣體分子發(fā)生碰撞,促使它們之間發(fā)生化學(xué)反應(yīng),從而實(shí)現(xiàn)化學(xué)氣相沉積,生成碳化硅粉體。該方法使用的氣源與CVD法類似,氣體純度要求也在99.9999%以上。等離子體法通過(guò)高能電子碰撞,降低了SiC粉體的合成溫度,一定程度上節(jié)省了能源。而且,通過(guò)增加氣體流量以及擴(kuò)大等離子腔的尺寸,可以提高SiC粉體的產(chǎn)率。不過(guò),合成的粉體粒徑通常太小,需要進(jìn)一步處理才能滿足實(shí)際應(yīng)用的需求,比如在用于晶體生長(zhǎng)時(shí),就需要對(duì)粉體進(jìn)行特殊處理。

等離子體法制備粉體

三、碳化硅粉體的應(yīng)用領(lǐng)域

(一)半導(dǎo)體領(lǐng)域

在半導(dǎo)體領(lǐng)域,碳化硅粉體宛如一顆璀璨的明珠,散發(fā)著獨(dú)特的光芒。它是制造高性能半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵材料,為現(xiàn)代電子技術(shù)的飛速發(fā)展注入了強(qiáng)大動(dòng)力。以碳化硅為基礎(chǔ)制成的功率器件,如碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)、金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)等,展現(xiàn)出了卓越的性能。與傳統(tǒng)的硅基器件相比,碳化硅器件具有更高的擊穿電壓、更低的導(dǎo)通電阻和更高的工作頻率。在新能源汽車的充電樁中,使用碳化硅功率器件可以大大提高充電效率,減少能量損耗,讓充電時(shí)間大幅縮短。據(jù)相關(guān)研究表明,采用碳化硅功率模塊的充電樁,其轉(zhuǎn)換效率可比傳統(tǒng)硅基模塊提高5%-10%,這意味著能為用戶節(jié)省大量的充電時(shí)間,提升使用體驗(yàn)。


(二)磨料與耐磨材料

憑借著超高的硬度,碳化硅粉體在磨料和耐磨材料領(lǐng)域大顯身手,成為了當(dāng)之無(wú)愧的“耐磨之王”。它是制造砂輪、砂紙、油石等磨具的理想材料,能夠輕松應(yīng)對(duì)各種堅(jiān)硬材料的磨削和加工任務(wù)。在金屬加工行業(yè),碳化硅砂輪可以高效地打磨鋼鐵、鋁合金等金屬材料,使其表面光滑平整,滿足高精度的加工要求。而且,碳化硅粉體還廣泛應(yīng)用于耐磨涂層、密封環(huán)、軸承等零部件的制造中,大大提高了這些部件的耐磨性和使用壽命。在石油化工行業(yè)的泵體中,使用碳化硅密封環(huán)可以有效抵抗介質(zhì)的沖刷和腐蝕,延長(zhǎng)泵的維修周期,降低設(shè)備維護(hù)成本。

(三)陶瓷與耐火材料

在陶瓷和耐火材料的世界里,碳化硅粉體是提升產(chǎn)品性能的“神奇魔法師”。它被廣泛用于制造高性能陶瓷,如碳化硅陶瓷刀具、陶瓷軸承等。這些陶瓷制品不僅具有優(yōu)異的硬度和耐磨性,還具備良好的耐高溫性能和化學(xué)穩(wěn)定性。碳化硅陶瓷刀具在切削加工過(guò)程中,能夠承受高溫和高壓,保持鋒利的刃口,大大提高了加工效率和精度,是現(xiàn)代機(jī)械加工行業(yè)的得力助手。在耐火材料領(lǐng)域,碳化硅粉體可以增強(qiáng)耐火材料的強(qiáng)度和抗熱震性能,使其在高溫環(huán)境下依然能夠穩(wěn)定工作。在鋼鐵冶煉的高爐中,使用含有碳化硅的耐火材料可以有效抵抗高溫鐵水和爐渣的侵蝕,延長(zhǎng)高爐的使用壽命,降低生產(chǎn)成本。

(四)新能源領(lǐng)域

在新能源領(lǐng)域,碳化硅粉體同樣發(fā)揮著不可或缺的重要作用,為推動(dòng)能源的高效利用和可持續(xù)發(fā)展貢獻(xiàn)著力量。在新能源汽車中,碳化硅功率器件被廣泛應(yīng)用于逆變器、DC-DC轉(zhuǎn)換器等關(guān)鍵部件中。這些器件能夠高效地控制電能的轉(zhuǎn)換和傳輸,提高汽車的動(dòng)力性能和續(xù)航里程。以特斯拉為例,其部分車型采用了碳化硅功率模塊,使得車輛的續(xù)航里程得到了顯著提升,同時(shí)還能實(shí)現(xiàn)更快的充電速度。在太陽(yáng)能光伏發(fā)電系統(tǒng)中,碳化硅器件可以提高逆變器的轉(zhuǎn)換效率,降低能量損耗,讓太陽(yáng)能更好地轉(zhuǎn)化為電能,為我們提供清潔、可持續(xù)的能源。據(jù)統(tǒng)計(jì),使用碳化硅逆變器的太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng),其發(fā)電效率可比傳統(tǒng)硅基逆變器提高3%-5%,這對(duì)于大規(guī)模推廣太陽(yáng)能發(fā)電具有重要意義。


粉體圈整理

作者:粉體圈

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