近日，原集微科技（上海）有限公司建設(shè)的首條全國(guó)產(chǎn)二維半導(dǎo)體集成電路工程化示范線在上海浦東新區(qū)川沙新鎮(zhèn)正式啟動(dòng)，標(biāo)志著我國(guó)在集成電路制造的前沿領(lǐng)域開始進(jìn)入“無人區(qū)”。

圖源：上觀新聞

據(jù)了解，該項(xiàng)目是復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院研究院研究員包文中及其團(tuán)隊(duì)多年研究成果的產(chǎn)業(yè)化轉(zhuǎn)化，項(xiàng)目計(jì)劃在2026年底前在這條工程化驗(yàn)證工藝線上，實(shí)現(xiàn)和硅基材料的異質(zhì)集成；在2029年，實(shí)現(xiàn)全球首款二維材料芯片的量產(chǎn)。此前，原集微已成功推出首款基于二維半導(dǎo)體材料的32位RISC-V架構(gòu)微處理器“無極”，實(shí)現(xiàn)了從材料、架構(gòu)到流片的全鏈條自主研發(fā)。

復(fù)旦大學(xué)光電研究院院長(zhǎng)褚君浩表示，當(dāng)硅基芯片制程逼近2納米時(shí)，表面不飽和懸掛鍵導(dǎo)致的散射現(xiàn)象使得器件遷移率降低，閾值電壓難以精確調(diào)控，從而增加了工藝的復(fù)雜度并降低了電流控制能力。而二維半導(dǎo)體（如二硫化鉬、二硒化鎢、鉍氧硒）以其天然的晶圓級(jí)原子層厚度和表面無懸掛鍵的獨(dú)特屬性，能在二維半導(dǎo)體材料的原子厚度平面內(nèi)無損輸運(yùn)，使晶體管的尺寸進(jìn)一步微縮。

此次，原集微二維半導(dǎo)體中試線的啟動(dòng)，不僅將推動(dòng)芯片技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展，還將為智能化時(shí)代的到來提供強(qiáng)有力的支撐。

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