據徐州日報報道，江蘇集芯近日成功出爐首枚8英寸液相法（LPE）碳化硅單晶，經檢測晶體面型、晶型與結晶質量達標，在技術路線上填補了國內空白，在產品上完成從6英寸到8英寸的跨越。
LPE是liquid phase epitaxy的縮寫,全稱意義是液相外延。該技術因有望實現更高的效率、更低的成本和更好的材料利用率，被視為物理氣相傳輸（PVT）晶體生長的潛在替代方案。顯而易見的，LPE可以省去高純SiC粉末的制備，液相摻雜也更靈活。但在日韓（日本古河、韓國LG）以及國內長期研究中，基本還停留在研發和實驗室小試階段，未有令人信服的性能或成本突破。據業內人士總結，主要原因大概可以總結為以下幾個方面：
1、純度，LPE通過碳、硅液相反應生長，環境雜質控制難度大；
2、雜相，液相生長更容易生成3C-SiC，而非半導體晶圓的4H-SiC，存在混合相干擾；
3、缺陷，液相生長速度快，晶種與液體界面容易出現失配；
4、裝備，擴大生產缺乏成熟的裝備平臺以及工藝方面的系統解決方案。
公開信息顯示，江蘇集芯成立于2023年，聚焦第三代半導體碳化硅材料研發，產品覆蓋高純SiC粉料（≥6N）、6/8英寸SiC襯底及配套材料。一期產能規劃為15萬片襯底/年，已實現PVT法6/8英寸量產。本次實現LPE技術重大突破，意味著中國在下一代SiC襯底技術上具備強大競爭力，引領SiC產業升級革新。
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作者：粉體圈
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