11月6日，據天岳先進官微消息，天岳先進向客戶成功交付高質量低阻P型碳化硅襯底，標志著向以智能電網為代表的更高電壓領域邁進了一步。

針對高壓大功率電力電子器件用P型碳化硅單晶襯底存在的成本高、電阻率高、缺陷控制難度大等技術難題，天岳先進深化布局前瞻性技術。在備受關注的液相法領域，天岳先進繼2023年成功制備出全球首個8英寸碳化硅晶體后再次取得了重大突破，于2024年推出了采用液相法制備的4度偏角P型碳化硅襯底。

液相法具有生長高品質晶體的優勢，在長晶原理上決定了可以生長超高品質的碳化硅晶體。天岳先進目前在液相法領域獲得了低貫穿位錯和零層錯的碳化硅晶體。通過液相法制備的P型4度偏角碳化硅襯底，電阻率小于200mΩ·cm，面內電阻率分布均勻，結晶性良好。未來，這種高質量低阻P型碳化硅襯底將極大加速高性能SiC-IGBT的發展進程，實現高端特高壓功率器件國產化。

據悉，天岳先進n型產品市占率全球第二，高純半絕緣型碳化硅襯底產品連續五年全球市占率排名第三。2023年，天岳先進還與英飛凌、博世等下游功率器件、汽車電子領域的知名企業簽署了長期合作協議。在電動汽車領域，天岳先進的導電型n型碳化硅襯底產品具有顯著優勢。其車規級產品已經獲得了國際客戶的認可，并實現了6英寸和8英寸碳化硅導電型襯底產品的批量銷售。同時，天岳先進的高純半絕緣碳化硅襯底產品也為高頻高輸出的射頻器件提供了優質的材料基礎，適用于5G基站射頻器件、衛星通信等高端應用領域，進一步拓展了天岳先進在碳化硅材料領域的應用范圍。

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