10月16日據(jù)科友半導(dǎo)體官微消息，科友半導(dǎo)體8英寸碳化硅（SiC）中試線在2023年4月正式貫通后，同步推進(jìn)晶體生長厚度、良率提升和襯底加工產(chǎn)線建設(shè)，加快襯底加工設(shè)備調(diào)試與工藝參數(shù)優(yōu)化。

2023年9月，科友首批自產(chǎn)8英寸SiC襯底于科友產(chǎn)學(xué)研聚集區(qū)襯底加工車間成功下線，這標(biāo)志著科友在8英寸SiC襯底加工，以及大尺寸襯底產(chǎn)業(yè)化方面邁出了堅實一步。

科友首批8英寸碳化硅襯底 來源：科友半導(dǎo)體

碳化硅襯底是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)材料，更大尺寸和更低成本是碳化硅襯底的發(fā)展方向。科友基于長期自主研發(fā)，依次開發(fā)了1-4代感應(yīng)長晶爐和1-3代電阻長晶爐，成為國內(nèi)第一家同時擁有8英寸感應(yīng)長晶爐和電阻長晶爐，并成功制備出8英寸碳化硅襯底的企業(yè)。中國電子學(xué)會組織的成果鑒定會上，鑒定委員會高度評價科友成果達(dá)到“國內(nèi)領(lǐng)先，國際先進(jìn)”水平。

據(jù)了解，科友半導(dǎo)體是一家專注于第三代半導(dǎo)體裝備研發(fā)、襯底制作、器件設(shè)計、科研成果轉(zhuǎn)化的國家級高新技術(shù)企業(yè)，研發(fā)覆蓋半導(dǎo)體裝備研制、長晶工藝、襯底加工等多個領(lǐng)域，已形成自主知識產(chǎn)權(quán)，實現(xiàn)先進(jìn)技術(shù)自主可控?？朴寻雽?dǎo)體在哈爾濱新區(qū)打造產(chǎn)、學(xué)、研一體化的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)學(xué)研聚集區(qū)，實現(xiàn)碳化硅材料端從原材料提純-裝備制造-晶體生長-襯底加工-外延晶圓的材料端全產(chǎn)業(yè)鏈閉合，致力成為第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵材料和高端裝備主要供應(yīng)商。

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