10月16日據科友半導體官微消息，科友半導體8英寸碳化硅（SiC）中試線在2023年4月正式貫通后，同步推進晶體生長厚度、良率提升和襯底加工產線建設，加快襯底加工設備調試與工藝參數優化。
2023年9月，科友首批自產8英寸SiC襯底于科友產學研聚集區襯底加工車間成功下線，這標志著科友在8英寸SiC襯底加工，以及大尺寸襯底產業化方面邁出了堅實一步。
科友首批8英寸碳化硅襯底 來源：科友半導體
碳化硅襯底是第三代半導體產業發展的重要基礎材料，更大尺寸和更低成本是碳化硅襯底的發展方向。科友基于長期自主研發，依次開發了1-4代感應長晶爐和1-3代電阻長晶爐，成為國內第一家同時擁有8英寸感應長晶爐和電阻長晶爐，并成功制備出8英寸碳化硅襯底的企業。中國電子學會組織的成果鑒定會上，鑒定委員會高度評價科友成果達到“國內領先，國際先進”水平。
據了解，科友半導體是一家專注于第三代半導體裝備研發、襯底制作、器件設計、科研成果轉化的國家級高新技術企業，研發覆蓋半導體裝備研制、長晶工藝、襯底加工等多個領域，已形成自主知識產權，實現先進技術自主可控。科友半導體在哈爾濱新區打造產、學、研一體化的第三代半導體產學研聚集區，實現碳化硅材料端從原材料提純-裝備制造-晶體生長-襯底加工-外延晶圓的材料端全產業鏈閉合，致力成為第三代半導體關鍵材料和高端裝備主要供應商。
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作者：粉體圈
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