11月4日，晶盛機電舉行“年產(chǎn)25萬片6英寸、5萬片8英寸碳化硅襯底片項目”簽約暨啟動儀式，旨在加快半導體材料端的關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān)，實現(xiàn)國產(chǎn)化替代，這一舉措標志著晶盛機電在半導體材料領(lǐng)域的技術(shù)實力和市場競爭力將進一步提升。

據(jù)了解，此次簽約項目總投資21.2億元，建成后，晶盛機電將利用自身的技術(shù)和資源優(yōu)勢，加快碳化硅襯底片的關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān)和產(chǎn)業(yè)化，加速推進第三代半導體材料國產(chǎn)化進程。

碳化硅襯底片作為半導體材料的重要組成部分，具有優(yōu)異的性能和廣闊的應用前景。晶盛機電自2017年開始碳化硅晶體生長設備和工藝的研發(fā)，相繼成功開發(fā)6英寸、8英寸碳化硅晶體和襯底片，是國內(nèi)為數(shù)不多能供應8英寸襯底片的企業(yè)。目前，晶盛機電已建設了6-8 英寸碳化硅晶體生長、切片、拋光中試線，6英寸襯底片已通過多家下游企業(yè)驗證，正處于快速上量階段，8英寸襯底片處于小批量試制階段。

晶盛機電表示，此次碳化硅襯底片項目啟動，是晶盛機電創(chuàng)新增長的重要方向。公司緊抓碳化硅產(chǎn)業(yè)的戰(zhàn)略機遇期，創(chuàng)新、擴產(chǎn)、趕超，實現(xiàn)國產(chǎn)突圍，助力半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

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