11月4日，晶盛機電舉行“年產25萬片6英寸、5萬片8英寸碳化硅襯底片項目”簽約暨啟動儀式，旨在加快半導體材料端的關鍵核心技術攻關，實現國產化替代，這一舉措標志著晶盛機電在半導體材料領域的技術實力和市場競爭力將進一步提升。
據了解，此次簽約項目總投資21.2億元，建成后，晶盛機電將利用自身的技術和資源優勢，加快碳化硅襯底片的關鍵核心技術攻關和產業化，加速推進第三代半導體材料國產化進程。
碳化硅襯底片作為半導體材料的重要組成部分，具有優異的性能和廣闊的應用前景。晶盛機電自2017年開始碳化硅晶體生長設備和工藝的研發，相繼成功開發6英寸、8英寸碳化硅晶體和襯底片，是國內為數不多能供應8英寸襯底片的企業。目前，晶盛機電已建設了6-8 英寸碳化硅晶體生長、切片、拋光中試線，6英寸襯底片已通過多家下游企業驗證，正處于快速上量階段，8英寸襯底片處于小批量試制階段。
晶盛機電表示，此次碳化硅襯底片項目啟動，是晶盛機電創新增長的重要方向。公司緊抓碳化硅產業的戰略機遇期，創新、擴產、趕超，實現國產突圍，助力半導體產業發展。
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作者：粉體圈
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