11月20日，東粵海金半導體科技有限公司宣布在自主研制的碳化硅單晶生長爐上成功制備出直徑超過205毫米的8英寸導電型碳化硅晶體，晶體表面光滑無缺陷，厚度超過20毫米，同時已經順利加工出8英寸碳化硅襯底片。
據了解，粵海金半導體攻克了大量工藝技術難關，在8英寸碳化硅晶體研發過程中成功解決了大直徑晶體擴徑生長、大尺寸熱場分布和高溫氣相輸運、大尺寸晶體應力控制等關鍵共性技術難題，形成并掌握了完整的工藝解決方案，獲得了質量優良的碳化硅單晶與襯底片，為后續持續提升質量并進行產業化批量生產打下了堅實的基礎。
粵海金半導體是高金富恒集團旗下專門從事第三代半導體材料——SiC襯底片材料研發與生產的產業化公司。此次8英寸導電型碳化硅單晶與襯底片的研制成功，進一步提升了粵海金半導體在碳化硅半導體材料領域的競爭力，具備了緊跟國內外行業快速發展的技術實力?；浐＝鸢雽w將持續加大研發與產業化生產投入，在技術創新的基礎上快速提升產品批量交付能力，為下游客戶提供品質更優、更具性價比的碳化硅襯底片產品。
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作者：粉體圈
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