11月20日，東粵海金半導(dǎo)體科技有限公司宣布在自主研制的碳化硅單晶生長(zhǎng)爐上成功制備出直徑超過(guò)205毫米的8英寸導(dǎo)電型碳化硅晶體，晶體表面光滑無(wú)缺陷，厚度超過(guò)20毫米，同時(shí)已經(jīng)順利加工出8英寸碳化硅襯底片。

據(jù)了解，粵海金半導(dǎo)體攻克了大量工藝技術(shù)難關(guān)，在8英寸碳化硅晶體研發(fā)過(guò)程中成功解決了大直徑晶體擴(kuò)徑生長(zhǎng)、大尺寸熱場(chǎng)分布和高溫氣相輸運(yùn)、大尺寸晶體應(yīng)力控制等關(guān)鍵共性技術(shù)難題，形成并掌握了完整的工藝解決方案，獲得了質(zhì)量?jī)?yōu)良的碳化硅單晶與襯底片，為后續(xù)持續(xù)提升質(zhì)量并進(jìn)行產(chǎn)業(yè)化批量生產(chǎn)打下了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。

粵海金半導(dǎo)體是高金富恒集團(tuán)旗下專門(mén)從事第三代半導(dǎo)體材料——SiC襯底片材料研發(fā)與生產(chǎn)的產(chǎn)業(yè)化公司。此次8英寸導(dǎo)電型碳化硅單晶與襯底片的研制成功，進(jìn)一步提升了粵海金半導(dǎo)體在碳化硅半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力，具備了緊跟國(guó)內(nèi)外行業(yè)快速發(fā)展的技術(shù)實(shí)力。粵海金半導(dǎo)體將持續(xù)加大研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)投入，在技術(shù)創(chuàng)新的基礎(chǔ)上快速提升產(chǎn)品批量交付能力，為下游客戶提供品質(zhì)更優(yōu)、更具性價(jià)比的碳化硅襯底片產(chǎn)品。

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