12月11日，由北京大學東莞光電研究院、第三代半導體專利聯盟、東莞燕園知識產權服務有限公司共同籌辦的第三代半導體產業知識產權高峰論壇在東莞舉行。廣東省知識產權局副局長謝紅表示，今后，廣東省知識產權局將會聚焦包括第三代半導體產業在內的產業發展，不斷加大產業企業知識產權保護力度，為產業鏈企業轉型升級提供動力支持，努力支撐高新技術產業的創新發展。
近年，以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)等寬禁帶化合物為代表的第三代半導體材料引發全球矚目，成為全球半導體研究的前沿和熱點。和第一代、第二代半導體材料相比，第三代半導體材料具有寬的禁帶寬度，高的擊穿電場、高的導熱率、高的電子飽和速率及更高的抗輻射能力，更適合制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件。
其技術及應用的突破成為全球半導體產業新的戰略高地，包括中、美、日、歐、韓等發達國家在內的各國政府都紛紛加緊在該領域的部署。廣東是中國專利第一大省，也是中國LED照明專利申請量大省。在推動LED產業發展過程中，廣東提出了技術專利標準化的路徑，有了標準才能快速地進入市場。這經驗可以推廣到第三代半導體產業乃至其它戰略性新興產業中。
粉體圈·郜白
參考來源：中國新聞網
作者：粉體圈
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