據美聯社報道，在11月的《納米能源》（Nano Energy）期刊上，發表了一項由中美研究人員共同開發的新型鈣鈦礦半導體材料成果，硫化鋇鋯（BaZrS3）薄膜。這種薄膜結合了超強的光吸收和良好的電荷傳輸，這兩個特性使其成為光電和發光二極管（LED）等應用的理想材料。
（圖片來源：布法羅大學）
BaZrS3屬于一類被稱為硫屬化物的鈣鈦礦材料。近年來，理論界計算出各種硫系鈣鈦礦應具有有用的電子和光學性質，這些預測引起了研究人員的興趣和想象。硫化鋇鋯粉體的誕生可以追溯到上世紀50年代美國一家材料企業，但并未獲得關注。
研究人員利用激光加熱和蒸發鋇鋯氧化物，氣相沉積的薄膜材料再經過硫化反應獲得最終BaZrS3薄膜。以太陽能電池板為例，實驗結果表明，BaZrS3薄膜比厚度相同的傳統硅基材料更能有效地將陽光轉化為電能。這可能會降低太陽能成本，特別是即使在有缺陷的情況下，新薄膜的表現也非常突出。
原文鏈接：https://eurekalert.org/pub_releases/2019-12/uab-sct122319.php
編譯 YUXI
作者：粉體圈
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