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多層低溫共燒陶瓷技術(shù)(LTCC),完美匹配高頻通信需求

發(fā)布時(shí)間 | 2020-04-23 10:16 分類 | 粉體加工技術(shù) 點(diǎn)擊量 | 6700
氮化鋁 氧化鋁
導(dǎo)讀:電子元器件的部分元器件是無(wú)源元件(被動(dòng)元件,主要是電阻類、電感類和電容類元件),這些元件的核心材料是各類功能陶瓷材料。

近半個(gè)世紀(jì)以來(lái),半導(dǎo)體集成技術(shù)的迅猛發(fā)展使得人類進(jìn)入了今天這個(gè)高度電子信息化的社會(huì)。然而,半導(dǎo)體器件僅僅是電子元器件的一部分(主動(dòng)元件,有源器件),另一部分用量巨大、種類繁多、功能各異的元器件是無(wú)源元件(被動(dòng)元件,主要是電阻類、電感類和電容類元件),這些元件的核心材料是各類功能陶瓷材料。

隨著微電子信息技術(shù)的迅猛發(fā)展,電子元件小型化、高度集成化及模塊化的需求愈來(lái)愈迫切。當(dāng)前整機(jī)系統(tǒng)中,無(wú)源元件和有源器件的比例在20:1至100:1左右(來(lái)自今中佳彥先生06年專著的數(shù)據(jù),僅供參考),無(wú)源元件構(gòu)成了整機(jī)產(chǎn)品中體積、重量和安裝成本的主要部分。相比于有源器件的高歌猛進(jìn)式的發(fā)展,無(wú)源元件的集成化卻一直是電子元器件技術(shù)發(fā)展的“瓶頸”,今天與大家分享的“多層低溫共燒陶瓷技術(shù)(Low-Temperature?Co-fired?CeramicsLTCC)便是為此而生的一個(gè)重要技術(shù),它使無(wú)源元件的高度集成化成為了可能,對(duì)電子元件的制造技術(shù)有著重要影響。

 

1:LTCC熱點(diǎn)應(yīng)用舉例:利用LTCC技術(shù),開(kāi)發(fā)將多元天線的關(guān)鍵設(shè)備天線陣列和BPF(帶通濾波器)集合為一體的LTCCAiP(封裝天線)設(shè)備。通過(guò)采用低介電常數(shù)、低損耗的新型LTCC材料等措施,實(shí)現(xiàn)5G通信所需的高特性,同時(shí)還具有卓越的量產(chǎn)性、環(huán)境耐受性、放熱特性等,使靈活的5G通信系統(tǒng)設(shè)計(jì)成為可能。(圖片及說(shuō)明來(lái)源:TDK)

LTCC技術(shù)及其相關(guān)材料

多層陶瓷基板技術(shù)(由流延法制備技術(shù)、過(guò)孔形成技術(shù)和多層疊層技術(shù)等結(jié)合的技術(shù))由美國(guó)無(wú)線電(RCA)公司于20世紀(jì)50年代末期所開(kāi)發(fā),因?yàn)檫@些多層基板是用氧化鋁絕緣材料和導(dǎo)體材料MoW、MoMn,見(jiàn)下表3)在1600℃的高溫下共燒的,故而稱為高溫共燒陶瓷(High temperature co-fired ceramicsHTCC,現(xiàn)指燒結(jié)溫度大于1000℃的共燒技術(shù)),以區(qū)別于后來(lái)開(kāi)發(fā)的低溫共燒陶瓷

20世紀(jì)80年代的中期,多層陶瓷基板的應(yīng)用使大型計(jì)算機(jī)性能(計(jì)算速度等)得到有效提高為了繼續(xù)提高安裝電路板的配線密度,使用了精細(xì)的導(dǎo)線,結(jié)果線路電阻增大,信號(hào)傳輸顯著衰減。為了解決這個(gè)問(wèn)題,必須使用低電阻的材料材料替代所有低電阻率的金屬CuAuAg或者類似材料其熔點(diǎn)都在1000℃左右,見(jiàn)表3)配線。為了使陶瓷材料能和這些金屬共燒,低溫共燒陶瓷的燒結(jié)溫度就必須低于1000,因此精確控制溫度在低電阻金屬的熔點(diǎn)900~1000以下是非常必要的。低溫共燒陶瓷技術(shù)的開(kāi)發(fā)(LTCC)為實(shí)現(xiàn)低損耗、高速度和高密度封裝目的起到非常重要的意義。

1:低溫共燒陶瓷VS高溫共燒陶瓷(來(lái)源:知乎網(wǎng)友)

高溫共燒陶瓷(HTCC)

低溫共燒陶瓷(LTCC)

采用氧化鋁、氮化鋁等陶瓷材料,燒成溫度一般大于1500℃。因燒成溫度高,HTCC不能采用金、銀、銅等低熔點(diǎn)金屬材料,必須采用鎢、鉬、錳等難熔金屬材料,這些材料電導(dǎo)率低,會(huì)造成信號(hào)延遲等缺陷,所以不適合做高速或高頻微組裝電路的基板。但是,由于HTCC基板具有結(jié)構(gòu)強(qiáng)度高、熱導(dǎo)率高、化學(xué)穩(wěn)定性好和布線密度高等優(yōu)點(diǎn),因此在大功率微組裝電路中具有廣泛的應(yīng)用前景。

LTCC有著較低的燒結(jié)溫度(低于900℃),采用電導(dǎo)率高而熔點(diǎn)低的Au、Ag、Cu等金屬作為導(dǎo)體材料,能在空氣氣氛中燒結(jié)。由于玻璃陶瓷低介電常數(shù)和在高頻低損耗性能,使之非常適合應(yīng)用于射頻、微波和毫米波器件中

 

LTCC典型材料。顧名思義,低溫共燒陶瓷是陶瓷和金屬在低溫下一同燒成的,它的主要材料是金屬和陶瓷。低溫共燒陶瓷所用的金屬是高電導(dǎo)材料(Ag、Cu、Au及其合金,如Ag-Pd、Ag-Pt、Au-Pt等)

2:低溫共燒陶瓷和高溫共燒陶瓷主要材料比較

 

3:導(dǎo)體材料的電阻率和熔點(diǎn)

 

LTCC工藝流程

典型的多層陶瓷基板的基本制造過(guò)程如下圖2。首先,陶瓷粉末和有機(jī)黏結(jié)劑混合配成漿料,用刮刀法將料漿流延成陶瓷薄片(生片這種生片燒結(jié)前柔軟如紙)生片各層間開(kāi)有導(dǎo)電過(guò)孔,采用絲網(wǎng)印刷方法用導(dǎo)電糊膏將線路圖案印在生片上。印刷的生片按層排列,加熱并施加壓力,以實(shí)現(xiàn)疊層(生片中的樹(shù)脂在疊層膠接時(shí)起到粘接的的作用)。隨后將導(dǎo)體金屬和陶瓷一同煅燒,排出其中的有機(jī)膠,最終獲得陶瓷基板。需要注意是,注意制造過(guò)程最終產(chǎn)品的尺寸精度和材料質(zhì)量的變化

 

2:典型的多層陶瓷基板的制造過(guò)程

為了在基板內(nèi)埋入多樣無(wú)源功能器件,需要將不同材料的生片進(jìn)行疊層,由于采用的薄層材質(zhì)不同,將這些材料進(jìn)行共燒需要非常高的技術(shù)。在低溫共燒陶瓷中實(shí)現(xiàn)集成,由于是嵌入層內(nèi),在設(shè)計(jì)時(shí)是相當(dāng)自由的。而且,可以根據(jù)功能要求來(lái)選擇特殊的專用材料。無(wú)源功能可以整合在低溫共燒陶瓷內(nèi),此時(shí)介電常數(shù)大約為5的低介材料層用做信號(hào)配線,使之能高速傳輸,介電常數(shù)大約為15的中介材料層用做濾波器,介電常數(shù)1000或更高的高介材料層用做消除信號(hào)噪聲、電壓補(bǔ)償?shù)?/span>

 

3:低溫共燒陶瓷基板埋入多樣的無(wú)源功能器件

LTCC特性及典型應(yīng)用

在集成無(wú)源器件方面,和印刷樹(shù)脂板相比,低溫共燒陶瓷有三大優(yōu)勢(shì),即高頻特性、熱穩(wěn)定性和電容量。在高頻應(yīng)用中,低溫共燒陶瓷也非常適合制作集成基板和電子器件。陶瓷材料的tanδ比樹(shù)脂材料的tanδ小,而且,低溫共燒陶瓷的tanδ是用以制作印刷電路板的FR4材料的1/3。與樹(shù)脂印刷電路板相比,低溫共燒陶瓷更適合于高頻應(yīng)用

低溫共燒陶瓷產(chǎn)品可分成三個(gè)類型即模塊、基板/封裝及分立器件。所有類型的產(chǎn)品目前都在商業(yè)化的無(wú)線通信中得到應(yīng)用。

4:低溫共燒陶瓷產(chǎn)品的分類

類型

產(chǎn)品

模塊

前端模塊、接收模塊、汽車電源控制(自動(dòng)增益控制)耦合器模塊

封裝/基板

功率放大器(PA)模塊,表面波器件封裝

表面貼裝器件(SMD)

帶通濾波器,低通濾波器,巴倫,耦合器,雙工器,天線

 

 

4:LTCC典型應(yīng)用實(shí)例射頻模塊封裝可應(yīng)用于手機(jī)等移動(dòng)電子設(shè)備的射頻模塊:電視調(diào)諧器、無(wú)限LAN、藍(lán)牙(Bluetooth?)、超寬帶(UWB)、前端模塊(FrontendModule)、功率放大器、陶瓷濾波器(SAWFilter)、雙工器(Duplexer)。圖片及說(shuō)明來(lái)源:京瓷

參考資料:

1、多層低溫共燒陶瓷技術(shù),科學(xué)出版社;日本富士通公司,今中佳彥(YoshihikoImanaka)著;詹欣祥,周濟(jì)譯。

2、TDK、京瓷等官網(wǎng)

粉體圈 編輯 小白

作者:粉體圈

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