以碳化硅，氮化鋁為代表的第三代半導體具有寬帶隙、高臨界擊穿電場、高熱導率、高載流子飽和漂移速度等特點，相對于傳統半導體材料（例如Si和GaAs等），在高溫、高頻、高功率及抗輻射器件方面（例如高鐵、電動汽車、智能電網、5G通信等）擁有巨大的應用前景。

物理氣相輸運(PVT)工藝因其較高的生長速率、較為穩定的生長工藝和成本優勢，成為當前大多數企業生產碳化硅和氮化鋁單晶材料時采用的標準方法。PVT法具體是利用高溫低壓的條件下升華產生的氣相組分，在溫度梯度的驅動下到達較低溫度的籽晶處，產生過飽和度而在籽晶上結晶不斷生長單晶。實際工藝過程中，隨著晶體厚度增加，因高溫腐蝕和產品溫度梯度差，容易出現碳包裹物、微管、位錯等各種缺陷，碳化鉭材料在降低包裹物，減少缺陷，提高晶體良率方面具備獨特的優勢，可以更快的生長出高質量的大尺寸晶體，顯著提高晶體的合格率。

在碳化硅或氮化鋁同質外延工藝中，因高溫腐蝕性氣氛的存在，使得普通載盤壽命大幅受限，甚至于在工藝過程中出現粉末化，碳化鉭可以降低氣氛對載盤的腐蝕，并且在改善產品性能方面得到了廣泛的認可。

綜上，碳化鉭具有高熔點、高硬度、高耐腐蝕性和高溫穩定性等特點，作為反應容器或襯墊材料時，能夠承受高溫高壓環境下的反應，不會對半導體材料產生污染和污損；此外，碳化鉭的熱膨脹系數與碳化硅和氮化鋁等材料相近，有利于提高半導體材料的晶格質量。

5月13-14日，CAC2023廣州國際先進陶瓷展同期論壇上，邁圖技術大中華區陶瓷業務負責人王存國先生將做題為“碳化鉭在化合物半導體中的應用”的報告，分享邁圖技術作為碳化鉭材料在半導體行業應用的開創者的數十年的經驗，與大家共同探討碳化鉭在化合物半導體行業的應用。

報告人簡介

王存國，邁圖技術大中華區陶瓷業務負責人。邁圖高新材料集團是全球領先的高性能有機硅和特種產品公司，向包括有機硅、石英和陶瓷市場提供高技術材料解決方案。

CAC同期論壇會務組

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