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GB/T 41751-2022 氮化鎵單晶襯底片晶面曲率半徑測(cè)試方法

發(fā)布時(shí)間 | 2024-02-02 11:22 分類 | 行業(yè)標(biāo)準(zhǔn) 點(diǎn)擊量 | 840
導(dǎo)讀：本文件規(guī)定了利用高分辨X射線衍射儀測(cè)試氮化鎵單晶襯底片晶面曲率半徑的方法。本文件適用于化學(xué)氣相沉積及其他方法制備的氮化鎵單晶襯底片晶面曲率半徑的測(cè)試，氮化鎵外延片晶面曲率半徑的測(cè)試...

標(biāo)準(zhǔn)編號(hào)：GB/T 41751-2022

標(biāo)準(zhǔn)名稱：氮化鎵單晶襯底片晶面曲率半徑測(cè)試方法

起草單位：中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所、蘇州納維科技有限公司、中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所、哈爾濱奧瑞德光電技術(shù)有限公司、廈門柯譽(yù)爾科技有限公司、山西華晶恒基新材料有限公司、福建兆元光電有限公司。

歸口單位：全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC203)與全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC203/SC2)

發(fā)布日期：2022-10-12

實(shí)施日期：2023-02-01

作者：粉體圈

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