9月11日，英飛凌科技公司（Infineon Technologies）宣布成功開發出采用300mm功率GaN（氮化鎵）晶圓的大規模生產技術。據悉，GaN晶圓是下一代功率電子器件的重要材料，廣泛應用于5G通信、電動汽車、高效電源管理等領域，具有高效率、低損耗的優勢，是替代傳統硅基材料的關鍵技術之一。
300mm GaN晶圓（圖片來源：英飛凌）
通過增大晶圓的直徑，半導體可以提高每片晶圓上的芯片數量，從而降低芯片的成本。傳統的功率GaN晶圓直徑為200mm，而300mm晶圓的使用可以使每片晶圓的芯片數量在相同尺寸下增加到2.3倍。
此次開發的技術是通過整合到該公司位于菲拉赫的功率半導體工廠現有的300mm硅晶圓生產線的試點生產線實現的。英飛凌表示，由于硅和GaN的制造工藝相似，可以應用現有的300mm硅制造設備，并結合200mm GaN生產中積累的經驗和技術，從而實現這一突破。公司計劃繼續根據市場需求擴大GaN的生產能力。此外，英飛凌還解釋，生產的300mm GaN晶圓在導通電阻水平上能夠實現與硅相同的成本效益。
菲拉赫工廠潔凈室的場景，工程師手持的是300mm GaN晶圓（圖片來源：英飛凌）
根據新聞報道，首批300mm GaN晶圓預計將于2024年11月在德國慕尼黑舉辦的展覽會“電子展”（electronica）上公開展示。
粉體圈Coco編譯
作者：Coco
總閱讀量：915供應信息
采購需求
粉體圈首頁
