旭化成于6月12日宣布，其子公司美國Crystal IS開發和制造的4英寸（100毫米）氮化鋁（AlN）單晶晶圓質量有所提高，將于2024年度下半年開始向國內外半導體設備制造商提供樣品。
左側是過去開發的可用面積為 90% 的氮化鋁晶圓，右側是經過進一步改進后可用面積增至 99.3% 的氮化鋁晶圓（來源：旭化成）
AlN與SiC和GaN一樣，是一種廣為人知的寬禁帶半導體，預計將用于下一代功率器件。然而，其制造需要在超過2000℃的升華爐內部進行精確的溫度控制，這使得晶圓尺寸的增大變得困難。自1997年成立以來，Crystal IS一直致力于大直徑AlN晶圓的研發，并在2023年8月宣布成功開發了4英寸晶圓。
此次提供樣品的決定，是基于4英寸晶圓質量的提升，晶圓面積的99%以上已被確認可用。公司通過使用這些晶圓制造UV-C LED的方式進行了驗證。旭化成還指出，在樣品提供的初期階段，樣品數量將有限。
粉體圈 Coco 編譯
作者：Coco
總閱讀量：1084供應信息
采購需求
粉體圈首頁
