1月2日，廣汽埃安與芯聯集成正式簽署聯合實驗室戰略合作協議，并舉行揭牌儀式。雙方將共同投入到下一代半導體芯片和模塊的研發設計中，以期在汽車半導體技術領域取得突破性進展，為智能電動汽車的未來發展注入強勁動力。
廣汽埃安總經理古惠南在儀式上表示，芯聯集成作為國內具備車規級IGBT/SiC芯片及模組和數模混合高壓模擬芯片大規模生產制造能力的頭部企業，在業界的影響力不容小覷，其相關技術產品已贏得了包括比亞迪、小鵬、蔚來、理想以及廣汽埃安在內的多家國內整車廠的定點采購。此次芯聯集成與廣汽埃安的合作，不僅是將雙方的商業合作關系推向了新的高度，更是在技術層面實現了深度融合。
據了解，這并不是雙方的第一次合作，早在2024年10月9日，芯聯集成與廣汽埃安就已簽訂了長期合作戰略協議。根據此次的協議內容，聯合實驗室將圍繞汽車半導體開展從工藝設計、生產制造，到終端應用的研究與產品開發，共同解決車規級功率半導體的設計、制造及應用難題，強化汽車半導體的供應鏈建設，快速推進產品迭代與創新，從而提升雙方在新能源汽車領域的市場競爭力。
芯聯集成將為廣汽埃安全系新車型提供碳化硅（SiC）MOSFET與硅基IGBT芯片及模塊。這些高性能的芯片和模塊，將廣泛應用于廣汽埃安未來幾年內計劃生產的上百萬輛新能源汽車中，為車輛的能源轉換和控制系統提供有力支持。
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作者：粉體圈
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