11月23日，希科半導體有限公司在蘇州納米城III期召開碳化硅（SiC）外延片投產發布會。該項目年產能可達2萬片將為園區第三代半導體產業發展注入更強動能。
據了解，過去一年，希科半導體購買的國產外延爐調試成功，完成了合格產品的生產，同時量測機臺方面也在國內找到了相應的替代機型，填補了行業空白。目前公司已經實現了工藝設備、量測機臺、關鍵原材料三位一體的國產化，完全、干凈、徹底的解決了碳化硅外延片產品生產的難題，把碳化硅外延片生產的供應鏈真正做到了不再受制于國外約束；也為我國碳化硅行業開辟了一個新途徑，創下了一個新紀錄。
6英寸碳化硅外延晶片
當前，半導體設備成為中國高科技產業國產化的“卡脖子”環節之一，此次希科半導體在SiC外延片上實現純國產研發方面的突破性進展，有力提升了國內企業振興國產半導體產業的信心，也意味著我國第三代半導體產業鏈綜合實力的進一步提升。
關于希科半導體
希科半導體成立于2021年8月，坐落于蘇州納米城III區第三代半導體產業園，是一家致力于發展第三代半導體碳化硅(SiC)材料的高科技公司。其團隊擁有多年的碳化硅外延晶片開發和量產制造經驗，憑借業內最先進的外延工藝技術和最先進的測試表征設備，為客戶提供滿足行業對低缺陷率和均勻性要求的6吋n型和p型摻雜外延晶片材料，是國內最早從事SiC技術研發和產業化的技術人才，擁有多項發明專利和實用新型專利。
參考來源：蘇州工業園區
作者：粉體圈
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