11月12日，東芝宣布最新開發出一款用于車載牽引逆變器的裸片1200 V碳化硅（SiC）MOSFET“X5M007E120”，其創新的結構可實現低導通電阻和高可靠性，目前已開始提供測試樣品，供客戶評估。

典型SiC MOSFET與東芝SiC MOSFET（將SBD嵌入MOSFET芯片的MOSFET）的比較

據東芝官網介紹，該SiC MOSFET通過在MOSFET中嵌入格紋形態排列的SBD（肖特基勢壘二極管）以弱化體二極管工作的器件結構，不僅可高效抑制器件體二極管在反向傳導操作期間的雙極通電，提升器件可靠性，而且相比傳統條形形態的SBD，即便占用相同的掛載面積，也能將單極工作的上限提升到大約兩倍的當前面積，此外，單位面積的導通電阻大約降低了20 %至30 %，這可以節省牽引逆變器等用于電機控制的逆變器的電能。

現有條形形態嵌入式SBD的MOSFET與格紋形態嵌入式SBD的MOSFET的原理圖

條形形態嵌入式SBD的MOSFET與格紋形態嵌入式SBD的MOSFET的單極傳導及導通電阻臨界電流密度測量值（東芝調查）

不過，降低SiC MOSFET的導通電阻，會導致短路時流過MOSFET的電流過大，進而降低短路耐久性。此外，增強嵌入式SBD的傳導，提高反向傳導工作的可靠性，也會增大短路時的漏電流，從而可再次降低短路耐久性。而東芝最新裸片采用深勢壘結構設計，可在短路狀態下抑制MOSFET的過大電流和SBD的漏電流，這可在提高其耐久性的同時，保持針對反向傳導工作的極高可靠性。

格紋形態嵌入式SBD的現有MOSFET與深勢壘結構設計MOSFET的原理圖

條形形態嵌入式SBD和深勢壘結構設計MOSFET的短路耐受時間和導通電阻的測量值（東芝調查）

據悉，東芝將在2025年提供X5M007E120的工程樣品，并在2026年投入量產，同時，其將進一步探索器件特征的改進。用戶可根據其特定的設計需求定制裸片，實現面向其應用的解決方案。

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