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日立高新技術公司于2024年11月7日宣布，確認了東京大學開發的激光激發光電子顯微鏡（Laser-PEEM）的實用性，現已展開合作研究，計劃將其用于半導體檢測設備的實際應用。據悉，使用該設備可大幅縮短回路圖案的檢測流...
11月12日，JX日本礦業金屬株式會社（JX金屬）宣布通過獨特的表面處理工藝，開發出可通過激光粉末床（L-PBF）打印的銅粉，打印的高密度部件導熱和導熱性能與純銅相當。本次開發銅粉放大照片大多數金屬和合金可以使用...
11月01日，大族半導體宣布在金剛石切片領域取得了重要的技術突破，推出了QCBD（QuantumCuttingofBulkDiamond，鉆石量子切片）激光切片技術及其相關設備，實現了金剛石高質量低損傷高效率激光切片。這一成果標志著激...
據同濟快訊，近日市場監管總局新批準二維鉻納米柵格標準物質、二維硅納米柵格標準物質、一維硅納米光柵標準物質3項國家一級標準物質。其中，二維鉻納米柵格標準物質是我國首次建立的納米級角度國家一級標準物質。上...
最近，京瓷（kyocera）宣布開發出用于下一代微芯片功能測試用的新型氮化硅陶瓷材料，它的熱膨脹系數和抗彎強度都得到加強，這使得其能夠在測試下一代微芯片時，用于生產接觸探針之間距離非常窄的薄氮化硅板。半導體...
2024年10月30日，氮化鋁材料領先企業NitrideGlobal,Inc宣布，將與UnitedSemiconductor,LLC和AxiomSpace合作開展一項由NASA資助的小型企業創新研究(SBIR)資助項目——“氮化鋁單晶空間制造的物理氣相沉積反應器設計和驗...
2024年10月23日，日本東麗株式會社（TorayIndustries,Inc.）宣布公司已聯合東麗工程（TRENG）開發出一套基于InP（磷化銦）等光半導體在硅基板上集成的材料與工藝技術，并計劃在2025年前完成量產技術的確立，力爭盡早...
在不久前結束的“CEATEC2024”展會上，成立于2021年由東京大學孵化的初創企業Gaianixx（ガイアニクス）在展示了其研發的“多能性中間膜”技術。該技術旨在提升SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）等化合物半導體的附加值，并降...
今年6月，自然通訊期刊上發表了來自香港科技大學工程學院領導研究項目取得的成果，研究人員開發出一種創新的蜂窩陶瓷的制備方法，結合3D打印突破了傳統制備的局限，顯著簡化并加速了幾何形狀復雜的多孔陶瓷的生產。...
2024年10月17日，東北大學宣布成立FOX公司，這是一家以低成本大規模生產β-氧化鎵（β-Ga2O3）晶片為目標的新創公司。FOX采用了該大學和大學新創公司C&A聯合開發的無貴金屬單晶生長技術，旨在以比SiC更低的成本生...
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2024/11/13
