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人工智能浪潮下，算力和數據需求爆發式增長，光電子器件的制造也隨著迅速發展。鈮酸鋰晶體作為典型的光電子器件基體材料，集光折變效應、非線性效應、電光效應、聲光效應、壓電效應與熱電效應等于一體，且具有良好的...
隨著人工智能技術的飛速發展，AI芯片正加速向高性能和大功率方向邁進，芯片電感作為核心組件，技術正面臨著前所未有的高標準挑戰。一體成型電感，作為繞線電感的升級版，是將線圈本體埋入軟磁復合磁心內部模壓成型的...
隨著人工智能領域的不斷發展，新型材料在高功率、高頻、高溫及低功率損耗電子器件中的應用日益受到關注。金剛石禁帶寬度達5eV，是當前單質半導體材料中帶隙最寬的材料，同時具有高擊穿電場、大飽和載流子速度、高載...
隨著光電子信息技術的快速發展，對于電子元器件集成化、微型化的要求也在不斷提高，特別是對于高性能光電薄膜的需求日益增長。鈣鈦礦結構光電薄膜，尤其是BaTiO?（BTO，鈦酸鋇）薄膜，因其結構的特性可以對其摻雜改...
氮化鋁（AlN）單晶襯底作為第四代半導體材料，憑借其獨特的物理化學性質和優異性能，有望成為AI產業的關鍵推動力量。AlN具備高達6.2eV的禁帶寬度、高擊穿場強、高化學和熱穩定性，以及高導熱和抗輻射等特性，高質量...
半導體封裝在芯片前道工藝技術節點改進有限的情況下，可以通過對芯片間的互連優化，使芯片系統尺度實現算力、功耗和集成度等性能指標方面的躍升，因此也被視為突破傳統摩爾定律的一大關鍵技術方向。隨著眾多應用場景...
隨著碳化硅（SiC）材料在半導體領域的應用越來越廣泛，其加工工藝的重要性也日益凸顯。作為一種具有優異性能的寬禁帶半導體材料，SiC在高功率、高頻率和高溫環境中的應用前景廣闊。然而，由于其極高的硬度和化學穩定...
化學機械拋光(CMP)技術是半導體晶片表面加工的關鍵技術之一,并用于集成電路制造過程的各階段表面平整化,近年來得到廣泛應用。在CMP過程中,拋光墊做為關鍵耗材之一，具有儲存、運輸拋光液、去除加工殘余物質、傳遞機...
隨著量子信息、人工智能等高新技術的飛速發展，半導體技術也在不斷更新迭代。從第一代半導體硅(Si)和鍺(Ge)，到第二代的砷化鎵(GaAs)和銻化銦(InSb)，再到第三代的碳化硅(SiC)、氮化鋁(AlN)和氮化鎵(GaN)，我們現在...
隨著半導體技術的不斷發展，對CMP拋光液的性能要求也越來越高，尤其是在制作高集成度、低功耗、高速度的芯片時，需要使用更安全、更穩定、更高效、更環保的CMP拋光液。相對于油和其他溶劑，水基拋光液采用水作為溶劑...
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2024/10/21
