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六方氮化硼（hBN）片晶在平面(a-軸)上的導熱率遠大于其在垂直于所述平面(c-軸)上的導熱率。在c-軸方向上，導熱率約2W/mK；相比之下，在a-軸方向上，導熱率為200-400W/mK。將六方氮化硼填充到塑料或者橡膠中作為導熱...
聚合物導熱復合材料作為當前解決電子器件散熱問題的關鍵材料，是由高熱導性填料與聚合物基體復合而成的，具有輕質、成本低廉、耐腐蝕、絕緣性好等特點，被廣泛應用于航空航天、電子信息、能量儲存、化工行業等領域。...
氮化鎵（GaN）半導體具有高的電子飽和速率，高的擊穿場強，在通信衛星、5G通信、雷達等眾多高功率、高頻場景中展現出巨大的應用潛力。但近年來，隨著GaN過濾器件功率密度及頻率的提高，熱堆積問題日益嚴峻，嚴重限制...
消費電子在實現智能化的同時逐步向輕薄化、高性能和多功能方向發展，其工作耗能和發熱量急劇增大，工作溫度向高溫方向迅速變化。為了保證電子產品可靠工作，必須使用具有較高散熱能力和較高導熱性能的材料。氮化鋁因...
隨著電子設備、新能源汽車、航空航天等領域對高效散熱需求的不斷增長，聚合物基導熱復合材料作為一種輕質且具備高導熱性能的材料，受到了廣泛關注。這類材料由聚合物基體和高導熱填料組成，其導熱性能的關鍵在于導熱...
新能源、集成電路、通訊等行業的飛速發展，促使著電子元器件朝著大功率致密化和輕薄化方向發展。工作頻率地不斷增加，會使得大量的熱量囤積在電子器件內部，影響元器件的使用性能，甚至會導致元器件失效。聚合物材料...
近年來，隨著電動汽車、可再生能源、智能電網和高效電源等應用的快速發展，功率半導體的全球市場規模持續增長，碳化硅、氮化鎵等第三代半導體材料更是憑借更高的電壓、溫度和頻率性能，能夠提供更好的效率等優點占據...
填充型聚合物基導熱材料在聚合物基體中填充高導熱填料，具有輕量化、易加工性、成本低廉等優勢，在電子元器件中作為導熱界面被廣泛使用。不過隨著摩爾定律的發展，電子元器件尺寸越來越小，結構越來越復雜，超高的熱...
比表面積作為評價粉體材料活性、催化、吸附等多種性能好壞的重要指標，在粉體的研究、生產和應用中都是十分關鍵的。在不同的應用場景下，所需要的比表面積會有所不同，像分子篩、活性炭等多孔氧化物的比表面積往往可...
氣相二氧化硅，俗稱氣相法白炭黑，是由硅的鹵化物在氫氧火焰中高溫水解生成的無定形納米級非金屬氧化物顆粒，其表面存在不飽和鍵和不同鍵態的羥基（孤立羥基、鄰位羥基、雙重羥基等），經分散后可在油性體系中極易通...
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2025/02/14
