日立高新技術公司于2024年11月7日宣布，確認了東京大學開發(fā)的激光激發(fā)光電子顯微鏡（Laser-PEEM）的實用性，現已展開合作研究，計劃將其用于半導體檢測設備的實際應用。據悉，使用該設備可大幅縮短回路圖案的檢測流程，有助于提升良率。
Laser-PEEM工藝示意圖（圖片來源: 日立高科技，東京大學）
在先進的半導體器件中，使用極紫外光刻（EUV）技術形成納米級的回路圖案。在這一制造流程中，回路圖案的三維加工精度以及局部材料特性的變化對器件性能有顯著影響。因此，必須以高精度、高速方式對回路圖案的形狀等必要檢測項目進行檢測。
Laser-PEEM通過向目標區(qū)域照射激光，并利用相機捕捉從觀察對象釋放的電子，因此能夠一次性獲取大范圍的高分辨率數據。相比傳統(tǒng)的掃描電子顯微鏡（SEM），其圖像分析速度更快。此外，東京大學開發(fā)的高分辨率技術還使其能夠觀察材料所具有的“潛像圖案”等化學信息，并能非破壞性地觀測納米級的立體結構。
另外，Laser-PEEM可檢測到約10～100納米的深度，能夠非破壞性地“透視”觀察晶圓內部的缺陷，進一步確認了這一技術的可行性。由此，不良點的原因分析也能在不損壞樣品的情況下進行。
粉體圈 Coco編譯
作者：Coco
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