近日，英飛凌和II-VI簽署了一份多年期碳化硅 (SiC) 晶圓供應協議。因此，這家總部位于德國的半導體制造商正在確保進一步獲得這種戰略性半導體材料，以滿足該領域客戶需求的強勁增長。該協議還支持英飛凌的多年采購戰略并提高其供應鏈彈性。第一批交付已經發生。
來源：II-VI官網
碳化硅化合物半導體在功率密度和效率方面制定了新標桿，英飛凌正在基于新標準來實現脫碳和數字化戰略，正在加大對碳化硅產能的投資，以滿足客戶快速增長的需求。
作為戰略合作伙伴，II-VI和英飛凌也將合作向200毫米直徑碳化硅晶圓過渡，以實現更高產率和更低成本的碳化硅器件。II-VI目前正在包括中國在內的多地拓展150毫米和200毫米碳化硅襯底產能。
據了解，隨著II-VI對賓夕法尼亞州的工廠的大規模擴建，到 2027 年，II-VI將在賓夕法尼亞州的工廠每年在國內生產大約100 萬片6英寸襯底，產能增加至少6倍。英飛凌預計其 SiC 半導體銷售額平均每年增長 60% 以上，到10年中期達到約10 億美元。
參考來源：芯TIP
作者：粉體圈
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