5月4日，創新半導體材料設計和生產的全球領導者法國Soitec發布其首款200mm新型碳化硅晶圓，這也意味著該公司SmartSiC^TM專利襯底組合在150mm基礎上的繼續擴大，應用市場直指新能源汽車，滿足其日益增長的需求。

SmartSiC?是將低質量的載體上粘貼高質量的單晶碳化硅，形象一些的比喻是把碳化硅襯底變成和三明治一樣的結構，載體具體而言可以是一個非常低電阻率的多晶硅晶片，這樣不僅可以提升元件的電氣性能，同時還可以降低成本，提升產量。

就在今年3月11日，Soitec公司宣布，在其位于法國伯寧的總部建立一個新的制造工廠，主要用于制造新的應對電動汽車和工業市場的關鍵挑戰的碳化硅晶圓。此次發布僅僅時隔不到兩個月，使Soitec能夠展示200mm SmartSiC晶圓的質量和性能，并進行第一輪關鍵客戶驗證。

Soitec獨特的SmartSiC?這項技術可以顯著提高電力電子設備的性能，提高電動汽車的能效。該技術包括將一層非常薄的高質量碳化硅粘合到一個非常低電阻率的多晶硅晶片上。Soitec首席技術官Christophe Maleville說，“我們獨特的技術使我們能夠開拓尖端工程基板，并為汽車和工業市場的電力電子產品開辟新的前景。我們的SiC基板系列增加了200mm，這使我們能夠進一步區分我們的產品組合，并在產品質量、可靠性、體積和能效方面滿足更廣泛的客戶需求，200mm晶圓發布鞏固了我們的技術領先地位、推動創新和推出下一代晶圓技術的能力。”

編譯 YUXI

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