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作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，碳化硅憑借禁帶寬度大（約3.3eV）、臨界擊穿場強高（硅的10倍）、熱導(dǎo)率出色以及更強的抗輻射能力等先天優(yōu)勢，能夠極大地提升器件的能源轉(zhuǎn)換效率與功率密度，同時顯著縮小系統(tǒng)體積，成...
高端芯片、高端光學(xué)器件等產(chǎn)業(yè)作為我國科技自立自強的戰(zhàn)略性支柱，其核心制造技術(shù)的發(fā)展關(guān)乎工業(yè)發(fā)展命脈與國家信息安全。比如，隨著高端芯片制程工藝不斷突破物理極限從7nm、5nm節(jié)點向3nm甚至更小節(jié)點演進(jìn)，晶體管...
化學(xué)機械平坦化（CMP）是半導(dǎo)體晶圓制造流程中至關(guān)重要的工藝環(huán)節(jié)，決定了多層互連結(jié)構(gòu)的平坦度、缺陷率以及最終器件的性能和良率。隨著制程節(jié)點不斷微縮、材料體系日益多樣化，CMP對拋光液中磨料的要求也變得極為嚴(yán)...
單晶碳化硅基片是制造高壓、高頻、高功率半導(dǎo)體器件的理想襯底材料，在新能源汽車、航空航天、軌道交通等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。但要真正發(fā)揮碳化硅器件的優(yōu)勢，前提是襯底表面必須極為平整、潔凈、無損傷。否則即...
在半導(dǎo)體制程中，化學(xué)機械拋光（CMP）是決定芯片精度與良率的關(guān)鍵工藝之一，無論是晶圓的表面平整度，還是納米級圖形的成型精度，都離不開CMP加工的支持。而在這道技術(shù)門檻極高的工藝中，“磨粒”——也就是CMP拋光液中...
近日，日本專利分析公司PatentResult（パテント?リザルト）公布了“多層陶瓷電容器（MLCC）相關(guān)技術(shù)”的全球?qū)＠偁幜ε判邪瘛Ｔ撆琶趯＠治龉ぞ摺癇izCruncher”，以“全球評分”為指標(biāo)，綜合考察了日本、美國、歐...
在半導(dǎo)體先進(jìn)制程，特別是進(jìn)入如今廣泛討論的5nm、3nm等節(jié)點后，光掩模版作為光刻工藝的“原始底片”，其精度和質(zhì)量直接決定了芯片制造的成敗。而光掩模版的核心基礎(chǔ)材料——掩模基板襯底，其自身的精密加工質(zhì)量更是最終...
2025年7月2-4日，韓國（KINTEX）國際展覽中心舉辦的“The15tInternationalAdvancedCeramicsExhibition”（第十五屆國際先進(jìn)陶瓷展）吸引眾多專業(yè)觀眾前來尋找交流合作機遇。期間，福建省金龍稀土股份有限公司（金龍稀...
近日，全球知名電子元器件廠商村田制作所（Murata）宣布，已成功開發(fā)并量產(chǎn)電容值達(dá)47μF的1005M尺寸（1.0mm×0.5mm）多層陶瓷電容器（MLCC），在實現(xiàn)小型化的同時，大幅提升容量表現(xiàn)。電容值達(dá)47μF的1005M尺寸多層陶...
在全球非金屬礦粉體加工領(lǐng)域，如果說哪一家企業(yè)能稱得上“標(biāo)桿”，那么德國細(xì)川阿爾派（HosokawaAlpine）必然榜上有名。無論是粉碎、分級、混合，還是輸送、儲存——這個擁有127年歷史的德國品牌，早已成為全球粉體行業(yè)...
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2025/07/22
