淺談相變材料及其封裝方式

隨著全球氣候的急劇變化，可持續(xù)和可再生能源成為人們?nèi)諠u關(guān)注的話題。相變材料（PCM）作為一種高效的蓄熱物質(zhì)，可在特定的溫度范圍內(nèi)發(fā)生相變過程，從而實(shí)現(xiàn)熱能的儲(chǔ)存和釋放，具有可持續(xù)再生、能量存儲(chǔ)密度高等特...

粉體應(yīng)用技術(shù)

2025/01/17

從Chiplet技術(shù)角度，淺談適用于芯片的幾種熱管理方案

隨著生成式人工智能和大模型技術(shù)的快速發(fā)展，人們對(duì)于算力的需求呈指數(shù)級(jí)增長，提高芯片的集成密度雖然可以有效解決高算力對(duì)芯片性能和處理效率的要求，但也導(dǎo)致了總熱功耗增加、熱分布不均、封裝中的熱輸運(yùn)困難等等...

粉體應(yīng)用技術(shù)

2025/01/16

高分子復(fù)合材料導(dǎo)熱性能的關(guān)鍵：界面

在低熱導(dǎo)率的聚合物基體中添加高導(dǎo)熱填料，以此來增強(qiáng)高分子材料導(dǎo)熱性能是最可行的提升聚合物材料導(dǎo)熱系數(shù)的方法。然而即使采用了高填料填充方案，復(fù)合材料的導(dǎo)熱系數(shù)也難以達(dá)到導(dǎo)熱填料本身水平的百分之幾，造成這...

粉體應(yīng)用技術(shù)

2025/01/15

六方氮化硼作為優(yōu)質(zhì)的絕緣導(dǎo)熱填料，該如何選擇應(yīng)用？

在如今小型化、集成化電子設(shè)備和元器件的輸出功率越來越大，散熱需求越來越大的情況下，六方氮化硼（h-BN）由于其中的硼（B）和氮（N）之間通過強(qiáng)的平面內(nèi)極性鍵連接形成了類似石墨的典型層狀蜂窩晶格結(jié)構(gòu)，使其表現(xiàn)...

粉體應(yīng)用技術(shù)

2025/01/15

高性能聚合物基導(dǎo)熱材料的三個(gè)焦點(diǎn)方向

隨著電子設(shè)備功率密度的不斷增加，熱管理的要求變得日益嚴(yán)格，這對(duì)散熱應(yīng)用領(lǐng)域的導(dǎo)熱材料提出了更高的要求。聚合物基導(dǎo)熱材料作為一種廣泛應(yīng)用的導(dǎo)熱散熱解決方案，盡管具有諸多優(yōu)點(diǎn)，如輕質(zhì)、易加工和電絕緣性，但...

粉體應(yīng)用技術(shù)

2025/01/13

開發(fā)相變材料應(yīng)用潛力的重要手段：提升熱導(dǎo)率

相變材料（PhaseChangeMaterial,PCM）是一類能夠通過物態(tài)轉(zhuǎn)變吸收或釋放大量熱量的功能材料（具體可看下方視頻）。它們?cè)诠?液或液-氣相變過程中具有顯著的潛熱效應(yīng)，能夠?qū)崿F(xiàn)熱量的存儲(chǔ)與釋放，因而在熱管理領(lǐng)域表...

粉體應(yīng)用技術(shù)

2025/01/13

六方氮化硼（h-BN）功能化技術(shù)與應(yīng)用前景

氮化硼是一種由氮原子（N）和硼原子（B）以化學(xué)鍵結(jié)合形成的無機(jī)化合物，具有多種晶體結(jié)構(gòu)形式，包括六方氮化硼（h-BN）、立方氮化硼（c-BN）和無定形氮化硼等。六方氮化硼粉體其中，六方氮化硼（h-BN）因其與石墨類...

粉體應(yīng)用技術(shù)

2025/01/09

熱界面材料：熱導(dǎo)率越高，熱阻就越低嗎？

熱界面材料（ThermalInterfaceMaterial，TIM）用于填補(bǔ)兩個(gè)固體表面接觸時(shí)產(chǎn)生的微孔隙以及表面凹凸不平產(chǎn)生的空洞，創(chuàng)建一個(gè)高效的熱傳導(dǎo)路徑，從而顯著減少接觸面之間的熱阻。熱導(dǎo)率及熱阻都是熱界面材料中常常提...

粉體應(yīng)用技術(shù)

2025/01/08

陶瓷散熱基板主流金屬化工藝及應(yīng)用一覽

隨著現(xiàn)代電子技術(shù)的飛速發(fā)展，電子設(shè)備小型化和集成化趨勢(shì)愈來愈明顯，同時(shí)工作頻率和功率密度也顯著增加，給電子系統(tǒng)的熱管理帶來了前所未有的挑戰(zhàn)。封裝基板作為半導(dǎo)體器件中的重要組成部分，除了能夠搭載芯片、并...

粉體應(yīng)用技術(shù)

2025/01/08